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BSDD08G65E2 零件图片（仅供参考）

BSDD08G65E2
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BSDD08G65E2 规格参数

  • 型号:BSDD08G65E2
  • 品牌:Bourns Inc. (Bourns,柏恩斯)
  • 封装:TO-252（DPAK）
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO252
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):8A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 8 A
  • 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:267pF @ 1V，1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
  • 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
  • BSDD08G65E2，Bourns电位器一站式供应商。
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BSDD08G65E2 基本参数：

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